MOVPE-grown GaInNAsVCSELs at 1.3 mu m with conventional mirror design approach
MOVPE-grown GaInNAsVCSELs at 1.3 mu m with conventional mirror design approach
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采用传统反射镜设计方法，采用 MOVPE 生长 1.3 μm 的 GaInNAsVCSEL
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Joel
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Vukusic;P. Modh;A. Larsson;M. Hammar;S. Mogg;U. Christiansson;V. Oscarsson;E. Odling;J. Malmquist;M. Ghisoni;P. Gong;E. Griffiths;A. Joel
1.3采用与标准850纳米vcsel相同的设计理念设计的mum oxide限制性GaInNAs vcsel。VCSELs具有掺杂镜面，具有梯度和高掺杂界面，…
1.3 mum oxide confined GaInNAs VCSELs designed using the same design philosophy used for standard 850 nm VCSELs is presented. The VCSELs have doped mirrors, with graded and highly doped interfaces, ...