高耐圧バイポーラSiCデバイス開発のためのp型SiCエピ層の評価
高耐圧バイポーラSiCデバイス開発のためのp型SiCエピ層の評価
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用于开发高压双极 SiC 器件的 p 型 SiC 外延层评估
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
加藤正史
中科院分区：
文献类型：
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作者：
加藤 正史;森 祐人;市村 正也;木村宗弘（分担執筆）;加藤正史
