S.K.Park, J.Tatebayashi, Y.Arakawa: "ENHANCED PL OF HIGH DENSITY (〜4.7×10^<11>cm^2) InAs QDs BY USING GRADED INTERFACE OF GaAs/AlAs/GaAs"CLEO-Pacific Rim 2003, Taipei, Taiwan (2003.12). 273 (2003)
S.K.Park, J.Tatebayashi, Y.Arakawa: "ENHANCED PL OF HIGH DENSITY (〜4.7×10^<11>cm^2) InAs QDs BY USING GRADED INTERFACE OF GaAs/AlAs/GaAs"CLEO-Pacific Rim 2003, Taipei, Taiwan (2003.12). 273 (2003)
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S.K.Park、J.Tatebayashi、Y.Arakawa：“通过使用 GaAs/AlAs/GaAs 的梯度界面增强高密度 PL (~4.7×10^<11>cm^2) InAs QD”CLEO-Pacific Rim 2003，台北，台湾（2003.12）273（2003）。
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