B導入による高移動度4H-SiC MOSFETの作製と界面トラップ評価
B導入による高移動度4H-SiC MOSFETの作製と界面トラップ評価
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通过引入B制造高迁移率4H-SiC MOSFET并评估界面陷阱
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
岡本 大，染谷 満，原田信介，小杉亮治，米澤喜幸，矢野裕司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Okamoto;M. Sometani;S. Harada;R. Kosugi;Y. Yonezawa;and H. Yano;岡本 大，染谷 満，原田信介，小杉亮治，米澤喜幸，矢野裕司
