Random Vth Variation Induced by Gate Edge Fluctuations in Nanoscale MOSFETs
Random Vth Variation Induced by Gate Edge Fluctuations in Nanoscale MOSFETs
复制标题
纳米级 MOSFET 中栅极边缘波动引起的随机 Vth 变化
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Hiramoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.T.Putra;A.Nishida;S.Kamohara;T.Hiramoto
