電子線照射によって形成した4H-SiC中シリコン空孔の濃度定量
電子線照射によって形成した4H-SiC中シリコン空孔の濃度定量
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电子束辐照形成的 4H-SiC 中硅空位浓度的测定
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大島武
中科院分区：
文献类型：
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作者：
元木秀;佐藤真一郎;佐伯誠一;増山雄太;山﨑雄一;土方泰斗;大島武
