Selective growth of high-quality 3C-SiC using a SiO2 sacrificial-layer technique
Selective growth of high-quality 3C-SiC using a SiO2 sacrificial-layer technique
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使用 SiO2 牺牲层技术选择性生长高质量 3C-SiC
DOI：
10.1016/s0040-6090(99)00233-3
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发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
G. Kroetz
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Eickhoff;H. Möller;M. Rapp;G. Kroetz
