Narrow-Band 400nm MSM Photodetectors Using A Thin InGaN Layer on A GaN/sapphire Structure
Narrow-Band 400nm MSM Photodetectors Using A Thin InGaN Layer on A GaN/sapphire Structure
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在 GaN/蓝宝石结构上使用薄 InGaN 层的窄带 400nm MSM 光电探测器
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Jun OHSAWA 他3名
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Takayama;T.Harada;T.Fujita;K.Maenaka;高山洋一郎;Jun OHSAWA 他3名;Jun OHSAWA 他3名
