5 nm thick lanthanum oxide thin films grown on Si(100) by atomic layer deposition: The effect of post-annealing on the electrical properties
5 nm thick lanthanum oxide thin films grown on Si(100) by atomic layer deposition: The effect of post-annealing on the electrical properties
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DOI：
10.1016/j.tsf.2006.01.008
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发表时间：
2006-08
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
Sanghyun Jo;J. Ha;N. Park;Dongkyun Kang;Byong-Ho Kim
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sanghyun Jo;J. Ha;N. Park;Dongkyun Kang;Byong-Ho Kim
