Photoluminescence properties of heavily Sb doped Ge1－xSnx and heterostructure design favorable for n+-Ge1－xSnx active layer
Photoluminescence properties of heavily Sb doped Ge1－xSnx and heterostructure design favorable for n+-Ge1－xSnx active layer
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重Sb掺杂Ge1－xSnx的光致发光特性及有利于n+-Ge1－xSnx有源层的异质结构设计
DOI：
10.35848/1347-4065/ac25da
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and O. Nakatsuka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Zhang;M. Fukuda;J. Jeon;M. Sakashita;S. Shibayama;and O. Nakatsuka
