窒素組成制御による高移動度チャネル材料向け金属HfN/絶縁性HfNx/半導体MIS構造の研究
窒素組成制御による高移動度チャネル材料向け金属HfN/絶縁性HfNx/半導体MIS構造の研究
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控制氮成分的高迁移率沟道材料金属HfN/绝缘HfNx/半导体MIS结构研究
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
前田 辰郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
三浦 脩;田中 正俊;安田 哲二;前田 辰郎
