Demonstration of High Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs by Utilizing Boron-Doped Gate Oxide
Demonstration of High Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs by Utilizing Boron-Doped Gate Oxide
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利用掺硼栅极氧化物演示 4H-SiC MOSFET 的高沟道迁移率
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and H. Yano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Okamoto;M. Sometani;S. Harada;R. Kosugi;Y. Yonezawa;and H. Yano
