Hiroyuki Maruyama: "Study on initial growth process of Si on InP(100)substrate grown by molecular beam epitaxy" Journal of Crystal Growth. 131. 316-322 (1993)

Hiroyuki Maruyama: "Study on initial growth process of Si on InP(100)substrate grown by molecular beam epitaxy" Journal of Crystal Growth. 131. 316-322 (1993)
复制标题

Hiroyuki Maruyama:“分子束外延生长的InP(100)衬底上Si的初始生长过程的研究”晶体生长杂志。

DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
--
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:

文献摘要

相似文献