Characterization of Graphene Directly Grown at Ni/SiO 2 Interface Using Inductively Coupled Chemical Vapor Deposition (ICP-CVD) at a Low Temperature
Characterization of Graphene Directly Grown at Ni/SiO 2 Interface Using Inductively Coupled Chemical Vapor Deposition (ICP-CVD) at a Low Temperature
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使用低温电感耦合化学气相沉积 (ICP-CVD) 表征直接在 Ni/SiO 2 界面生长的石墨烯
DOI：
10.1017/s1431927620021248
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发表时间：
2020
影响因子：
2.8
通讯作者：
Jiao, Jun
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shrestha, Dibyesh;Kolar, Grayson;Jiao, Jun
