SiC MOS反転層移動度の劣化要因に関する理論的考察
SiC MOS反転層移動度の劣化要因に関する理論的考察
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SiC MOS反型层迁移率劣化因素的理论思考
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
原田 信介
中科院分区：
文献类型：
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作者：
畠山 哲夫;平井 悠久;染谷 満 岡本 大;岡本 光央;原田 信介
