EMI Noise Source Characterization for SiC and GaN Power Transistors in Synchronous Rectification DC-DC Converter
EMI Noise Source Characterization for SiC and GaN Power Transistors in Synchronous Rectification DC-DC Converter
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同步整流 DC-DC 转换器中 SiC 和 GaN 功率晶体管的 EMI 噪声源表征
DOI：
10.1541/ieejfms.140.565
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发表时间：
2020
影响因子：
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通讯作者：
Funaki Tsuyoshi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ibuchi Takaaki;Funaki Tsuyoshi
