Comparison of different grading schemes in InGaAs metamorphic buffers on GaAs substrate: Tilt dependence on cross-hatch irregularities
Comparison of different grading schemes in InGaAs metamorphic buffers on GaAs substrate: Tilt dependence on cross-hatch irregularities
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GaAs 衬底上 InGaAs 变质缓冲液中不同分级方案的比较：倾斜对交叉影线不规则性的依赖性
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D. Biswas
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Rahul Kumar;A. Bag;P. Mukhopadhyay;Subhashis Das;D. Biswas
