25.3 A 1.3A gate driver for GaN with fully integrated gate charge buffer capacitor delivering 11nC enabled by high-voltage energy storing
25.3 A 1.3A gate driver for GaN with fully integrated gate charge buffer capacitor delivering 11nC enabled by high-voltage energy storing
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25.3 A 1.3A GaN 栅极驱动器，具有完全集成的栅极充电缓冲电容器，通过高压储能实现 11nC 电流
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
B. Wicht
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Seidel;B. Wicht
越来越多的电力电子应用使用 GaN 晶体管，因为与传统的 Si 器件相比，它们能够实现更高的开关频率。更快的开关可以缩小无源器件的尺寸，并在可再生能源、电动汽车和家用电器等应用中实现紧凑的解决方案。 GaN 晶体管受益于约 10 倍的较小栅极电荷 QG 和栅极驱动电压（通常为 5V，而 Si 为约 15V）。
More and more power electronics applications utilize GaN transistors as they enable higher switching frequencies in comparison to conventional Si devices. Faster switching shrinks down the size of passives and enables compact solutions in applications like renewable energy, electrical cars and home appliances. GaN transistors benefit from ∼10× smaller gate charge QG and gate drive voltages in the range of typically 5V vs. ∼15V for Si.