HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上
HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上
复制标题
HfO2/Ge MIS结构通过F2处理和氮自由基处理改善电特性
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
奥山雅則
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
今庄秀人;Hyun Lee;Dong-Hun Lee;吉岡祐一;金島岳;奥山雅則
