Strain Modulation of β-FeSi_2 by Ge-Segregation in Solid-Phase Growth of [a-Si/a- FeSiGe]_n Multi-Layer
Strain Modulation of β-FeSi_2 by Ge-Segregation in Solid-Phase Growth of [a-Si/a- FeSiGe]_n Multi-Layer
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[a-Si/a- FeSiGe]_n 多层固相生长中 Ge 偏析对 β-FeSi_2 的应变调制
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Murakami 他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
松本雄史;宮下哲哉;内田龍男;T.Sadoh 他;T.Sadoh et al.;T.Sadoh 他;T.Sadoh 他;佐道泰造 他;T.Sadoh 他;T.Sadoh 他;T.Sadoh et al.;Y.Murakami et al.;T.Sadoh et al.;T.Sadoh et al.;T.Sadoh 他;Y.Murakami 他
