InGaN/GaN Heterostructure P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor by Using Polarization-Induced Two-Dimensional Hole Gas
InGaN/GaN Heterostructure P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor by Using Polarization-Induced Two-Dimensional Hole Gas
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利用极化诱导二维空穴气体的 InGaN/GaN 异质结构 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Liwen Sang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kexiong Zhang;Masatomo Sumiya;Meiyong Liao;Yasuo Koide;and Liwen Sang
