Mobility degradation under a high effective normal field in an inversion layer of 4H-SiC (0001) metal-oxide-semiconductor structures annealed in POCl3
Mobility degradation under a high effective normal field in an inversion layer of 4H-SiC (0001) metal-oxide-semiconductor structures annealed in POCl3
复制标题
在 POCl3 中退火的 4H-SiC (0001) 金属氧化物半导体结构反型层中高有效法向场下迁移率下降
DOI：
10.35848/1882-0786/aca377
复制
发表时间：
2022
影响因子：
2.3
通讯作者：
Kimoto Tsunenobu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ito Koji;Kimoto Tsunenobu
