Aluminum Nitride Crystal Growth from an Al-N System at 6.0 GPa and 1800 degrees C

Aluminum Nitride Crystal Growth from an Al-N System at 6.0 GPa and 1800 degrees C
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Al-N 系统在 6.0 GPa 和 1800 摄氏度下生长氮化铝晶体

DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
Crystal Growth & Design
影响因子：
3.8
通讯作者：
Y.N.Palyanov
Y.N.Palyanov
中科院分区：
化学2区
文献类型：
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作者：
A.Shatskiy;Y.M.Borzdov;D.Yamazaki;K.D.Litasov;T.Katsura;Y.N.Palyanov

文献摘要

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