Fast rate and wide area Si epitaxy with improved yield by mesoplasma chemical vapor deposition
Fast rate and wide area Si epitaxy with improved yield by mesoplasma chemical vapor deposition
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通过中间等离子体化学气相沉积提高产量的快速大面积硅外延
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Kambara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Akiyama;S. Atsumi;M. Kambara;M. Kambara;M. Kambara
