Effect of post annealing on hole mobility of pseudo-single-crystalline germanium thin-film-transistors on glass substrate
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后退火对玻璃衬底赝单晶锗薄膜晶体管空穴迁移率的影响
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K. Hamaya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Kasahara;H. Higashi;M. Nakano;Y. Nagatomi;K. Yamamoto;H. Nakashima;and K. Hamaya
