光再構成型ゲートアレイVLSIの290 Mradまでのトータルドーズ耐性試験
光再構成型ゲートアレイVLSIの290 Mradまでのトータルドーズ耐性試験
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光学可重构门阵列 VLSI 的总剂量耐受性测试高达 290 Mrad
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山田 果歩，岡崎 武志，渡邊 実，渡邊 誠也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
堀川 康生;福本 大介;柏 祐太郎;市川 嘉裕;飯田 元;山田 果歩，岡崎 武志，渡邊 実，渡邊 誠也
