Grown-in defects limiting the bulk lifetime of p-type float-zone silicon wafers
Grown-in defects limiting the bulk lifetime of p-type float-zone silicon wafers
复制标题
生长缺陷限制了 p 型浮区硅片的整体寿命
DOI：
10.1063/1.4907804
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发表时间：
2015
影响因子：
3.2
通讯作者：
Y. Wan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N. Grant;F. Rougieux;D. Macdonald;J. Bullock;Y. Wan
这项工作得到了澳大利亚
可再生能源机构(ARENA)奖学金计划和
澳大利亚研究理事会(ARC)未来奖学金
程序。
This work has been supported by the Australian
Renewable Energy Agency (ARENA) fellowships program and
the Australian Research Council (ARC) Future Fellowships
program.