Strain Relaxation and Induced Defects in SiGe Thin Films Grown on Ion-Implanted Si Substrates
Strain Relaxation and Induced Defects in SiGe Thin Films Grown on Ion-Implanted Si Substrates
复制标题
离子注入硅衬底上生长的 SiGe 薄膜的应变松弛和诱导缺陷
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J.Yamanaka et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Harimochi;K.Hirose;S.Shinagawa;S.Shinagawa;T.Hattori;S.Shinagawa et al.;H.Nohira et al.;K.Hirose;K.Hirose;廣瀬和之 他;T.Hattori et al.;J.Yamanaka et al.
