Even‐Parity Excited States in Infrared Emission, Absorption, and Raman Scattering Spectra of Shallow Donor Centers in Silicon
Even‐Parity Excited States in Infrared Emission, Absorption, and Raman Scattering Spectra of Shallow Donor Centers in Silicon
复制标题
硅浅供体中心的红外发射、吸收和拉曼散射光谱中的偶宇称激发态
DOI：
10.1002/pssb.201800514
复制
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H.-W. Hübers
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. G. Pavlov;N. V. Abrosimov;V. B. Shuman;L. М. Portsel;А. N. Lodygin;Yu. A. Astrov;R. Kh. Zhukavin;V. N. Shastin;K. Irmscher;A. Pohl;H.-W. Hübers
元素半导体中不同浅掺杂剂在液氦温度下的莱曼吸收光谱通常显示从偶宇称基态到奇宇称激发态的跃迁。这种跃迁是偶极允许的，并通过吸收光谱法观察到。关于具有其他类型对称性的激发态的知识可以从重掺杂半导体的吸收和拉曼光谱中获得，或者在实验条件下实现从偶宇称态或到偶宇称态的光偶极允许跃迁。在这里，我们报告了在硅晶体中涉及不同激发偶宇称（ns-和nd-）态的杂质跃迁的实验观察：1）在具有大红外吸收率的样品中掺杂V族类氢供体，以及2）掺杂镁双供体，引起最低偶宇称激发态的热布居。
The Lyman absorption spectra of different shallow dopants in elemental semiconductors at liquid‐helium temperature show typically transitions from the even‐parity ground state to odd‐parity excited states. Such transitions are dipole allowed and observed by absorption spectroscopy. Knowledge on the excited states with other type of symmetry can be derived from absorption and Raman spectra of a heavily doped semiconductor, or at experimental conditions enabling optical dipole‐allowed transitions from or into even‐parity states. Here, we report on the experimental observation of impurity transitions involving different excited even‐parity (ns‐ andnd‐) states in silicon crystals: 1) doped with group‐V hydrogen‐like donors in samples with large infrared absorbance, and 2) doped with the magnesium double donor evoking a thermal population of the lowest even‐parity excited states.
登录
查看更多内容
硅自旋轨道分裂受主态的应力诱导混合
影响因子：
3.7
作者：
H. R. Chandrasekhar;A. Ramdas;S. Rodriguez
通讯作者：
S. Rodriguez
影响因子：
3.7
作者：
Abraham, R. J. S.;DeAbreu, A.;Thewalt, M. L. W.
通讯作者：
Thewalt, M. L. W.
基于中心跃迁的太赫兹硅激光器物理原理
DOI：
10.1002/pssb.201248322
发表时间：
2013
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
--
作者：
S. Pavlov;R. Zhukavin;V. Shastin;H. Hübers
通讯作者：
H. Hübers
Si 和 C 中受主态的自旋轨道分裂
影响因子：
2.8
作者：
J. Serrano;A. Wysmołek;T. Ruf;M. Cardona
通讯作者：
M. Cardona
影响因子：
3.7
作者：
L. T. Ho;A. Ramdas
通讯作者：
A. Ramdas