Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
复制标题
4H-SiC p 沟道 MOSFET 中精确的沟道迁移率提取和散射机制
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hirosi Yano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xingyan Zhou;Dai Okamoto;Xufang Zhang;Mitsuru Sometani;Mitsuo Okamoto;Shinsuke Harada;Noriyuki Iwamuro;Hirosi Yano
