Enhancement of the Field-effect Mobility of 4H-SiC Buried Channel n-MOSFETs by Using Al2O3 as a Gate Insulator
Enhancement of the Field-effect Mobility of 4H-SiC Buried Channel n-MOSFETs by Using Al2O3 as a Gate Insulator
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使用 Al2O3 作为栅极绝缘体增强 4H-SiC 埋沟道 n-MOSFET 的场效应迁移率
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Osamu Nakatsuka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takuma Doi;Shigehisa Shibayama;Wakana Takeuchi;Mitsuo Sakashita;Noriyuki Taoka;Mitsuaki Shimizu;and Osamu Nakatsuka
