T. Akatsuka, R. Miyake, S. Nozaki, T. Yamada, M. Konagai and K. Takahashi: "Heavily Carbon-Doped P-Type InGaAs Grown by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy" Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 29. L537-L539 (1990)
T. Akatsuka, R. Miyake, S. Nozaki, T. Yamada, M. Konagai and K. Takahashi: "Heavily Carbon-Doped P-Type InGaAs Grown by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy" Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 29. L537-L539 (1990)
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T. Akatsuka、R. Miyake、S. Nozaki、T. Yamada、M. Konagai 和 K. Takahashi：“通过金属有机分子束外延生长的重碳掺杂 P 型 InGaAs”《日本应用物理学杂志》。
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