Hetero-epitaxial growth of BexZn1−xSe on Si(0 0 1) and GaAs(0 0 1) substrates
Hetero-epitaxial growth of BexZn1−xSe on Si(0 0 1) and GaAs(0 0 1) substrates
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BexZn1−xSe 在 Si(0 0 1) 和 GaAs(0 0 1) 衬底上的异质外延生长
DOI：
10.1016/s0022-0248(98)80284-4
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发表时间：
1998
影响因子：
1.8
通讯作者：
É. Tournié
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Faurie;V. Bousquet;P. Brunet;É. Tournié
