Interface phonon polariton coupling to enhance graphene absorption
Interface phonon polariton coupling to enhance graphene absorption
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界面声子极化子耦合增强石墨烯吸收
DOI：
10.1007/s12200-019-0957-7
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发表时间：
2019-12
影响因子：
5.4
通讯作者：
Changhong Chen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhenyao Chen;Junjie Mei;Ye Zhang;Jishu Tan;Qing Xiong;Changhong Chen
在这里，我们提出了一种石墨烯光电探测器，其石墨烯和结构系统的红外吸收通过界面声子极化子（IPhP）耦合得到增强。 IPhP 由器件结构的 SiC/AlN 界面支撑，用于在门控场调谐下激发本征石墨烯的带间跃迁。模拟结果表明，在垂直入射时，石墨烯或系统的吸光度在中红外频率范围内达到43%或接近一致。此外，我们发现峰值吸收频率主要取决于AlN的厚度，并且随着厚度的减小它会出现红移。该结构在石墨烯红外探测技术中具有巨大的应用潜力。
Here we present a graphene photodetector of which the graphene and structural system infrared absorptions are enhanced by interface phonon polariton (IPhP) coupling. IPhPs are supported at the SiC/AlN interface of device structure and used to excite interband transitions of the intrinsic graphene under gated-field tuning. The simulation results show that at normal incidence the absorbance of graphene or system reaches up to 43% or closes to unity in a mid-infrared frequency range. In addition, we found the peak-absorption frequency is mainly decided by the AlN thickness, and it has a red-shift as the thickness decreases. This structure has great application potential in graphene infrared detection technology.
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