H.KANAYA et al: "Dependence of the Carrier Concentration Profile at the Si MBE Layer/p-Si Substrate Interface on the Si Substrate Preparetion Method" Japanese Journal of Applied Physics. 29. L195-L197 (1990)
H.KANAYA et al: "Dependence of the Carrier Concentration Profile at the Si MBE Layer/p-Si Substrate Interface on the Si Substrate Preparetion Method" Japanese Journal of Applied Physics. 29. L195-L197 (1990)
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H.KANAYA 等人：“Si MBE 层/p-Si 衬底界面处的载流子浓度分布对 Si 衬底制备方法的依赖性”日本应用物理学杂志。
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