Hiroyuki Matsunami: "High-Quality 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Step-Controlled Epitaxy" Appl.Phys.Lett.65. 1400-1402 (1994)
Hiroyuki Matsunami: "High-Quality 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Step-Controlled Epitaxy" Appl.Phys.Lett.65. 1400-1402 (1994)
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Hiroyuki Matsunami：“通过步进控制外延生长的高质量 4H-SiC 同质外延层”Appl.Phys.Lett.65。
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