Biexciton emission from single isoelectronic traps formed by nitrogen-nitrogen pairs in GaAs

Biexciton emission from single isoelectronic traps formed by nitrogen-nitrogen pairs in GaAs
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GaAs 中氮-氮对形成的单等电子陷阱的双激子发射

DOI：
10.1063/1.4848523
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发表时间：
2013
期刊：
THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2012
影响因子：
--
通讯作者：
Hiroyuki Yaguchi
Hiroyuki Yaguchi
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Kengo Takamiya;Toshiyuki Fukushima;Shuhei Yagi;Yasuto Hijikata;Toshimitsu Mochizuki;Masahiro Yoshita;Hidefumi Akiyama;Shigeyuki Kuboya;Kentaro Onabe;Ryuji Katayama;Hiroyuki Yaguchi

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