Telecommunication Wavelength-Band Single-Photon Emission from Single Large InAs Quantum Dots Nucleated on Low-Density Seed Quantum Dots.
Telecommunication Wavelength-Band Single-Photon Emission from Single Large InAs Quantum Dots Nucleated on Low-Density Seed Quantum Dots.
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低密度种子量子点上成核的单个大 InAs 量子点的电信波段单光子发射
DOI：
10.1186/s11671-016-1597-0
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发表时间：
2016-12
影响因子：
--
通讯作者：
Niu ZC
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen ZS;Ma B;Shang XJ;He Y;Zhang LC;Ni HQ;Wang JL;Niu ZC
在GaAs衬底上，利用应变耦合自组装双层InAs量子点（QDs）实现了通信波段的单光子发射。通过精确控制铟的沉积量和在两层量子点中施加梯度铟通量，在上层制备了低密度的大量子点，其发射波长为~1.3 μm。时间分辨光致发光（PL）强度表明，它们的激子辐射寿命为1.5~ 1.6ns。二阶相关函数g2（0）< 0.5，表明是纯单光子发射。
Single-photon emission in the telecommunication wavelength band is realized with self-assembled strain-coupled bilayer InAs quantum dots (QDs) embedded in a planar microcavity on GaAs substrate. Low-density large QDs in the upper layer active for ~1.3 μm emission are fabricated by precisely controlling the indium deposition amount and applying a gradient indium flux in both QD layers. Time-resolved photoluminescence (PL) intensity suggested that the radiative lifetime of their exciton emission is 1.5~1.6 ns. The second-order correlation function ofg2(0) < 0.5 which demonstrates a pure single-photon emission.
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