Bias-Stress-Intrduced Threshold-Voltage Shift in Pentacene Thin-Film Transistors

Bias-Stress-Intrduced Threshold-Voltage Shift in Pentacene Thin-Film Transistors
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并五苯薄膜晶体管中偏置应力引起的阈值电压偏移

DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 45
影响因子：
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通讯作者：
Yutaka Majima
Yutaka Majima
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Daisuke Kawakami;Yuhsuke Yasutake;Hideyuki Nishizawa;Yutaka Majima

文献摘要

参考文献

被引文献

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DOI： 10.1143/jjap.44.3728
发表时间： 2005-06-01
期刊： JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子： --
作者：
Fujisaki, Y;Sato, H;Kurita, T
通讯作者： Kurita, T