"Impact of YScO3 on Ge Gate Stack in Terms of EOT Reduction as Well as Interface"
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“YScO3 对 Ge 栅极堆栈在 EOT 减少以及界面方面的影响”
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Nagashio and A. Toriumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Lu;C.H. Lee;T. Nishimura1,2;K. Nagashio and A. Toriumi
