Correlation between Current Collapses and Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero -Structures Probed by Photo-Capacitance Spectroscopy
Correlation between Current Collapses and Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero -Structures Probed by Photo-Capacitance Spectroscopy
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AlGaN/GaN 异质结构中电流崩塌与深层缺陷之间的相关性 - 通过光电容光谱探测结构
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Kawai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Nakano;Y.Irokawa;Y.Sumida;S.Yagi;H.Kawai
