MOCVD法によるGaInNAsバッファ層上InAs量子ドットの熱アニール特性
MOCVD法によるGaInNAsバッファ層上InAs量子ドットの熱アニール特性
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MOCVD法GaInNAs缓冲层上InAs量子点的热退火性能
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
宮本智之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
根本幸祐;鈴木亮一郎;仙石知行;田辺悟;西尾礼;小山二三夫;宮本智之
