M.Watanabe,H.Muguruma,M.Asada,and S.Arai: "Low temperature (〜420℃) epitaxial growth of CaF_2/Si(111) by IonizedーClusterーBeam technique" Japan.J.Appl.Phys.29. 1803-1804 (1990)
M.Watanabe,H.Muguruma,M.Asada,and S.Arai: "Low temperature (〜420℃) epitaxial growth of CaF_2/Si(111) by IonizedーClusterーBeam technique" Japan.J.Appl.Phys.29. 1803-1804 (1990)
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M.Watanabe、H.Muguruma、M.Asada 和 S.Arai：“利用离子束簇束技术实现 CaF_2/Si(111) 的低温（~420℃）外延生长”Japan.J.Appl.Phys。 29. 1803-1804 (1990)
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