The growth of GaMnAs films by molecular beam epitaxy using arsenic dimers
The growth of GaMnAs films by molecular beam epitaxy using arsenic dimers
复制标题
利用砷二聚体通过分子束外延生长 GaMnAs 薄膜
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
C. R. Staddon
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Campion;K. Edmonds;Lixia Zhao;Kaiyou Wang;C. T. Foxon;B. Gallagher;C. R. Staddon
