Ferroelectric FET with a Pt/SrBi_2Ta_2O_9/HfAlO/Si gate stack for 1T FeRAM

Ferroelectric FET with a Pt/SrBi_2Ta_2O_9/HfAlO/Si gate stack for 1T FeRAM
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用于 1T FeRAM 的具有 Pt/SrBi_2Ta_2O_9/HfAlO/Si 栅极堆叠的铁电 FET

DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Proceedings of The 2004 International Electron Devices and Materials Symposia 2004
影响因子：
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通讯作者：
Mitsue Takahashi
Mitsue Takahashi
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Shigeki Sakai;Mitsue Takahashi

文献摘要

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