Modeling and Simulation of Wide Bandgap Semiconductor Devices: 4H/6H-SiC
Modeling and Simulation of Wide Bandgap Semiconductor Devices: 4H/6H-SiC
复制标题
宽带隙半导体器件的建模和仿真：4H/6H-SiC
DOI：
--
复制
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Lades
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Lades
3