全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法による単原子層銅シリサイドCu/Si(111)の構造解析
全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法による単原子層銅シリサイドCu/Si(111)の構造解析
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全反射高速正电子衍射（TRHEPD）法分析单原子层硅化铜Cu/Si(111)的结构
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高山あかり
中科院分区：
文献类型：
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作者：
中司湧星;田中和幸;篠原彩;望月出海;星健夫;兵頭俊夫;高山あかり
