Study of High-κ/In_<0.53>Ga_<0.47>As Interface by Hard X-ray Photoemission Spectroscopy
Study of High-κ/In_<0.53>Ga_<0.47>As Interface by Hard X-ray Photoemission Spectroscopy
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高κ/In_<0.53>Ga_<0.47>As界面的硬X射线光电子能谱研究
DOI：
10.1143/jjap.50.10pd02
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发表时间：
2011
影响因子：
1.5
通讯作者：
Hiroshi Nohira
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Koji Yamashita;Yuuya Numajiri;Masato Watanabe;Kuniyuki Kakushima;Hiroshi Iwai;Hiroshi Nohira
