Y.Azuma, et al.: "Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by directly controlling the growth temperature at the crystal-melt interface using in-situ monitoring system"J. Crystal Growth. 224. 204-211 (2001)
Y.Azuma, et al.: "Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by directly controlling the growth temperature at the crystal-melt interface using in-situ monitoring system"J. Crystal Growth. 224. 204-211 (2001)
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Y.Azuma等人：“使用原位监测系统直接控制晶体-熔体界面的生长温度，生长具有均匀成分的SiGe块状晶体”J。
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