Doping Profile Effects on Device Characteristics Nano-Scale MOSFETs

Doping Profile Effects on Device Characteristics Nano-Scale MOSFETs
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掺杂分布对纳米级 MOSFET 器件特性的影响

DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Proceedings of the 2005 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
影响因子：
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通讯作者：
Nobuya Mori
Nobuya Mori
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Hiroshi Takeda;Nobuya Mori

文献摘要

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